casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS138PW,115
codice articolo del costruttore | BSS138PW,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS138PW,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BSS138PW,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 260mW (Ta), 830mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138PW,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS138PW,115-FT |
BUK9615-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK9615-100E,118
Nexperia USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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