casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS123 E6433
codice articolo del costruttore | BSS123 E6433 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS123 E6433 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS123 E6433 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 69pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123 E6433 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS123 E6433-FT |
SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS84PH6433XTMA1
Infineon Technologies
2N7002-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3400A-TP
Micro Commercial Co
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel