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Infineon Technologies BSS119E6327

Numero parte MFG
BSS119E6327
quantità disponibile
82540 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSS119E6327 specificazioni

codice articolo del costruttore BSS119E6327
Numero di parte futuro FT-BSS119E6327
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSS119E6327 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS119E6327 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS119E6327-FT

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