casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BSR31,135
codice articolo del costruttore | BSR31,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BSR31,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSR31,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1.35W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR31,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSR31,135-FT |
MJ15011G
ON Semiconductor
MJL21194G
ON Semiconductor
MJL4302AG
ON Semiconductor
MJL21196G
ON Semiconductor
MJL4281AG
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MJL21195G
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MJL1302AG
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MJL21193G
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MJL3281AG
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MJL0281A
ON Semiconductor
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
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A40MX02-PL68A
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5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP4CE22E22C9LN
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5SGXMA7H3F35I3LN
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LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5
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EP20K400EBC652-3AA
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