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codice articolo del costruttore | BSO303SPNTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSO303SPNTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO303SPNTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1754pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.35W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO303SPNTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO303SPNTMA1-FT |
SPP15P10PGHKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PHXKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PLGHKSA1
Infineon Technologies
SPP16N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP18P06PHKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5
Infineon Technologies
SPP20N65C3HKSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel