casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM15GD120DN2BOSA1
codice articolo del costruttore | BSM15GD120DN2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM15GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM15GD120DN2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Potenza - Max | 145W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 100pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM15GD120DN2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM15GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
A3PN015-1QNG68
Microsemi Corporation
XC4028XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C2LN
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA3K3F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation