casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM100GD60DLCBOSA1
codice articolo del costruttore | BSM100GD60DLCBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM100GD60DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GD60DLCBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Potenza - Max | 430W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD60DLCBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM100GD60DLCBOSA1-FT |
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel