casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / BSM100GD60DLCBOSA1
codice articolo del costruttore | BSM100GD60DLCBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM100GD60DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GD60DLCBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Potenza - Max | 430W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD60DLCBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM100GD60DLCBOSA1-FT |
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
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APTGT150SK120TG
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APTGT150SK170D1G
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APTGT150SK60TG
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APTGT200A60TG
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APTGT200DA170D3G
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APTGT200DA60TG
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APTGT200SK120D3G
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APTGT200SK170D3G
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