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codice articolo del costruttore | BSM100GB170DN2HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSM100GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM100GB170DN2HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 145A |
Potenza - Max | 1000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 16nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB170DN2HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSM100GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel