casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSL308CH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSL308CH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL308CH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSL308CH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A, 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL308CH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL308CH6327XTSA1-FT |
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
IRF5851
Infineon Technologies
IRF5851TR
Infineon Technologies
IRF5851TRPBF
Infineon Technologies
IRF5852
Infineon Technologies
IRF5852TR
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IRF5852TRPBF
Infineon Technologies
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Vishay Siliconix
2N7002DW
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A10V10B-PLG68C
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5SGXMA3E1H29C2N
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5SGXEA4H2F35I3L
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XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation