casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSL303SPEH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSL303SPEH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL303SPEH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL303SPEH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1401pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL303SPEH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL303SPEH6327XTSA1-FT |
RQJ0303PGDQA#H6
Renesas Electronics America
SI2300DS-T1-GE3
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