casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSL302SNL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSL302SNL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL302SNL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL302SNL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL302SNL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL302SNL6327HTSA1-FT |
NDT451AN_J23Z
ON Semiconductor
RQJ0303PGDQA#H6
Renesas Electronics America
SI2300DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2302ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel