casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC035N04LSGATMA1
codice articolo del costruttore | BSC035N04LSGATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC035N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC035N04LSGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 36µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC035N04LSGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC035N04LSGATMA1-FT |
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03LSATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel