casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC034N06NSATMA1
codice articolo del costruttore | BSC034N06NSATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC034N06NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC034N06NSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 41µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC034N06NSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC034N06NSATMA1-FT |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC030N04NSGATMA1
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BSC031N06NS3GATMA1
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BSC080N03MSGATMA1
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BSZ520N15NS3GATMA1
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1
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BSC011N03LSATMA1
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BSC050N04LSGATMA1
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XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation