casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC032N03SG
codice articolo del costruttore | BSC032N03SG |
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Numero di parte futuro | FT-BSC032N03SG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC032N03SG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC032N03SG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC032N03SG-FT |
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel