casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC030N08NS5ATMA1
codice articolo del costruttore | BSC030N08NS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC030N08NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC030N08NS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 95µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC030N08NS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC030N08NS5ATMA1-FT |
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel