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Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1

Name: BSC018NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSIATMA1
Price: 0.46816 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (758 reviews)

Numero parte MFG: BSC018NE2LSIATMA1

quantità disponibile: 31920 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.46816

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSC018NE2LSIATMA1.pdf

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BSC018NE2LSIATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSC018NE2LSIATMA1
Numero di parte futuro	FT-BSC018NE2LSIATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC018NE2LSIATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC018NE2LSIATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSC018NE2LSIATMA1-FT

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