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codice articolo del costruttore | BRC2016T100M |
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Numero di parte futuro | FT-BRC2016T100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BR, C Type |
BRC2016T100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 520mA |
Corrente - Saturazione | 450mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 35MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRC2016T100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BRC2016T100M-FT |
NRV2012T1R0NGF
Taiyo Yuden
NRV2012T1R0NGFV
Taiyo Yuden
NRV2012T1R5NGF
Taiyo Yuden
NRV2012T1R5NGFV
Taiyo Yuden
NRV2012T3R3MGF
Taiyo Yuden
NRV2012T3R3MGFV
Taiyo Yuden
NRV2012T4R7MGF
Taiyo Yuden
NRV2012T4R7MGFV
Taiyo Yuden
NRS2012T1R0NGJV
Taiyo Yuden
NRS2012T1R5NGJV
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel