casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR93G86FVJ-3BGTE2
codice articolo del costruttore | BR93G86FVJ-3BGTE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR93G86FVJ-3BGTE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR93G86FVJ-3BGTE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (1K x 16) |
Frequenza di clock | 3MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP-BJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR93G86FVJ-3BGTE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR93G86FVJ-3BGTE2-FT |
BR93H56RF-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93H86RF-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93L66F-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L01AF-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L02F-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L04F-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L08F-WE2
Rohm Semiconductor
BR24L16F-WE2
Rohm Semiconductor