codice articolo del costruttore | BR810 |
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Numero di parte futuro | FT-BR810 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR810 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, BR-8 |
Pacchetto dispositivo fornitore | BR-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR810-FT |
RABF26-13
Diodes Incorporated
RABF28-13
Diodes Incorporated
RDBF151U-13
Diodes Incorporated
RDBF152U-13
Diodes Incorporated
RDBF154U-13
Diodes Incorporated
RDBF156U-13
Diodes Incorporated
RDBF158U-13
Diodes Incorporated
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel