casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25L040FVJ-WE2
codice articolo del costruttore | BR25L040FVJ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25L040FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25L040FVJ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frequenza di clock | 5MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP-J |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L040FVJ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25L040FVJ-WE2-FT |
MR44V064BMAZAATL
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G08FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G128FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel