casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25G512F-3GE2
codice articolo del costruttore | BR25G512F-3GE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25G512F-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25G512F-3GE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G512F-3GE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25G512F-3GE2-FT |
S40410161B1B1I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W013
Cypress Semiconductor Corp
LHF00L30
Sharp Microelectronics
LHF00L29
Sharp Microelectronics
LHF00L28
Sharp Microelectronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel