casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR24L02FVJ-WE2
codice articolo del costruttore | BR24L02FVJ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR24L02FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR24L02FVJ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP-BJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24L02FVJ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR24L02FVJ-WE2-FT |
BR25H080F-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H080F-2LBH2
Rohm Semiconductor
BR25H128F-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128F-2LBH2
Rohm Semiconductor
BR25H160F-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H640F-2ACE2
Rohm Semiconductor
BR25S256F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25S320F-WE2
Rohm Semiconductor
BR9040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G46F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel