casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fotodiodi / BP 104 F
codice articolo del costruttore | BP 104 F |
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Numero di parte futuro | FT-BP 104 F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BP 104 F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 950nm |
Colore: migliorato | - |
Gamma spettrale | 800nm ~ 1100nm |
Diodo | PIN |
Responsività @ nm | - |
Tempo di risposta | 20ns |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Scura (tipo) | 2nA |
Area attiva | 4.84mm² |
Angolo di visione | 120° |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial - 2 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BP 104 F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BP 104 F-FT |
PDB-C601-1-25
Advanced Photonix
PDB-V601-1
Advanced Photonix
PDB-V443.6
Advanced Photonix
PDB-V114
Advanced Photonix
PDB-V110
Advanced Photonix
PDB-V104
Advanced Photonix
PDB-C615-2
Advanced Photonix
PDB-C613-2
Advanced Photonix
PDB-C612-2
Advanced Photonix
PDB-C609-2
Advanced Photonix
A54SX16P-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100T
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
Intel
XC7S6-2CSGA225I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19I7
Intel
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
EPF10K30ABC356-1
Intel