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codice articolo del costruttore | BN104G0104JEN |
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Numero di parte futuro | FT-BN104G0104JEN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BN |
BN104G0104JEN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Capacità | 0.1µF |
Tolleranza | ±5% |
Tensione nominale - CA. | 115V |
Tensione nominale - CC | 250V |
Materiale dielettrico | Polyester, Metallized |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Dimensione / Dimensione | 0.500" L x 0.165" W (12.70mm x 4.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.362" (9.20mm) |
fine | PC Pins |
Lead Spacing | 0.394" (10.00mm) |
applicazioni | High Pulse, DV/DT |
Giudizi | - |
Caratteristiche | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BN104G0104JEN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BN104G0104JEN-FT |
B32798G8306JZ9
EPCOS (TDK)
B32798G8306KZ1
EPCOS (TDK)
B32798S2306K501
EPCOS (TDK)
B32798S2306K501M1
EPCOS (TDK)
B32798S2406J592
EPCOS (TDK)
B32798S2406K592
EPCOS (TDK)
B32798S2606K502
EPCOS (TDK)
B32798S2756J503
EPCOS (TDK)
B32798S2756K503
EPCOS (TDK)
B32798S3336K500
EPCOS (TDK)
M2GL050T-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP20K400EF672C1XDO
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEA4K2F40C2L
Intel
10AX048K2F35I2LG
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA4U19A7N
Intel