casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BLT70,115
codice articolo del costruttore | BLT70,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BLT70,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLT70,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
Frequenza - Transizione | 900MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 2.1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 4.8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLT70,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLT70,115-FT |
BFG590/X,215
NXP USA Inc.
BFG67,215
NXP USA Inc.
BFG67,235
NXP USA Inc.
BFG67/X,215
NXP USA Inc.
BFG92A/X,215
NXP USA Inc.
BFG93A,215
NXP USA Inc.
BFG93A/X,215
NXP USA Inc.
BFP 182 E7764
Infineon Technologies
BFP 196R E6327
Infineon Technologies
BFP 196R E6501
Infineon Technologies
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel