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codice articolo del costruttore | BLP8G05S-200Y |
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Numero di parte futuro | FT-BLP8G05S-200Y |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP8G05S-200Y Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
Frequenza | 440MHz |
Guadagno | 21dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 2mA |
Potenza - Uscita | 210W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | SOT-1138-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-HSOPF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP8G05S-200Y Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLP8G05S-200Y-FT |
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
BF908,215
NXP USA Inc.
BF909,215
NXP USA Inc.
BF909,235
NXP USA Inc.
BF909A,215
NXP USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel