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codice articolo del costruttore | BLP8G05S-200Y |
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Numero di parte futuro | FT-BLP8G05S-200Y |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP8G05S-200Y Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
Frequenza | 440MHz |
Guadagno | 21dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 2mA |
Potenza - Uscita | 210W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | SOT-1138-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-HSOPF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP8G05S-200Y Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLP8G05S-200Y-FT |
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
BF908,215
NXP USA Inc.
BF909,215
NXP USA Inc.
BF909,235
NXP USA Inc.
BF909A,215
NXP USA Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
APA300-PQG208M
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YU484E5G
Intel
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324A7G
Intel