casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / BLP10H660PGY
codice articolo del costruttore | BLP10H660PGY |
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Numero di parte futuro | FT-BLP10H660PGY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP10H660PGY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 1GHz |
Guadagno | 18dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | 1.4µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 40mA |
Potenza - Uscita | 60W |
Tensione: nominale | 110V |
Pacchetto / caso | SOT-1224-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-HSOPF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H660PGY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLP10H660PGY-FT |
BF1105,215
NXP USA Inc.
BF1108,215
NXP USA Inc.
BF1201,215
NXP USA Inc.
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
BF908,215
NXP USA Inc.
XC6SLX100-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
10M40DCF256C8G
Intel
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
5SGXEB9R2H43C3N
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
EPF81500ARI240-3
Intel