casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / BLP0427M9S20GZ
codice articolo del costruttore | BLP0427M9S20GZ |
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Numero di parte futuro | FT-BLP0427M9S20GZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP0427M9S20GZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 400MHz ~ 2.7GHz |
Guadagno | 19dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | 1.4µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 100mA |
Potenza - Uscita | 20W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | SOT-1483-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT1483-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP0427M9S20GZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLP0427M9S20GZ-FT |
A2I20H060NR1
NXP USA Inc.
A2I25D025NR1
NXP USA Inc.
A2I25H060NR1
NXP USA Inc.
AFIC31025NR1
NXP USA Inc.
AFV121KGSR5
NXP USA Inc.
AFV141KGSR5
NXP USA Inc.
MMRF1312GSR5
NXP USA Inc.
MMRF1314GSR5
NXP USA Inc.
MMRF2010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.