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codice articolo del costruttore | BLC9H10XS-350AY |
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Numero di parte futuro | FT-BLC9H10XS-350AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLC9H10XS-350AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 617MHz ~ 960MHz |
Guadagno | 19.5dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | 1.4µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 400mA |
Potenza - Uscita | 350W |
Tensione: nominale | 105V |
Pacchetto / caso | SOT1273-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT1273-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9H10XS-350AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLC9H10XS-350AY-FT |
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WNR3
NXP USA Inc.
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF998E6327HTSA1
Infineon Technologies
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
10CL080YU484C8G
Intel
EP1K100FC484-3N
Intel
EP4SGX180KF40C3N
Intel
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30RI208-4N
Intel
EP20K100QC208-3V
Intel