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codice articolo del costruttore | BLC9H10XS-300PY |
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Numero di parte futuro | FT-BLC9H10XS-300PY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLC9H10XS-300PY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 600MHz ~ 960MHz |
Guadagno | 21dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | 1.4µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 600mA |
Potenza - Uscita | 300W |
Tensione: nominale | 108V |
Pacchetto / caso | SOT1273-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT1273-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9H10XS-300PY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLC9H10XS-300PY-FT |
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WNR3
NXP USA Inc.
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies
M2GL060-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84
Microsemi Corporation
LFXP20E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4
Intel
EP3C80F780C6N
Intel