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codice articolo del costruttore | BLC9G10XS-120AZ |
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Numero di parte futuro | FT-BLC9G10XS-120AZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLC9G10XS-120AZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS (Dual) |
Frequenza | 920MHz ~ 960MHz |
Guadagno | 21dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | 1.4µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 120mA |
Potenza - Uscita | 120W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | SOT1273-1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT1273-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9G10XS-120AZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BLC9G10XS-120AZ-FT |
MMRF2010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WNR3
NXP USA Inc.
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
XC4020XL-09HT144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3N
Intel
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
10AX048H4F34E3LG
Intel
XC7K160T-2FB676I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP3SE50F780C4LN
Intel