casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / BG 3230 E6327
codice articolo del costruttore | BG 3230 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BG 3230 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BG 3230 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
Frequenza | 800MHz |
Guadagno | 24dB |
Tensione - Test | 5V |
Valutazione attuale | 25mA |
Figura di rumore | 1.3dB |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | - |
Tensione: nominale | 8V |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BG 3230 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BG 3230 E6327-FT |
A2T27S007NT1
NXP USA Inc.
AFM906NT1
NXP USA Inc.
AFM907NT1
NXP USA Inc.
MHT1108NT1
NXP USA Inc.
A2V09H400-04NR3
NXP USA Inc.
A2T26H300-24SR6
NXP USA Inc.
A2T07H310-24SR6
NXP USA Inc.
A2T18H410-24SR6
NXP USA Inc.
A2T20H330W24SR6
NXP USA Inc.
A2T21H360-24SR6
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel