casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
codice articolo del costruttore | BFY193PZZZA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFY193PZZZA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Guadagno | 12.5dB ~ 13.5dB |
Potenza - Max | 580mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | MICRO-X1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MICRO-X1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
44022H
Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144I
Xilinx Inc.
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-2N
Intel
EP3C25U256C6
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-1PL84M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
EPF10K50EBC356-1X
Intel