casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFU730F,115
codice articolo del costruttore | BFU730F,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFU730F,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFU730F,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
Frequenza - Transizione | 55GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 197mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 205 @ 2mA, 2V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-343F |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU730F,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFU730F,115-FT |
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