casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFU630F,115
codice articolo del costruttore | BFU630F,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFU630F,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFU630F,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Frequenza - Transizione | 21GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
Guadagno | 13dB ~ 22.5dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 5mA, 2V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-343F |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU630F,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFU630F,115-FT |
MT3S113TU,LF
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