casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFR93AE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BFR93AE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFR93AE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR93AE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 6GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 9.5dB ~ 14.5dB |
Potenza - Max | 300mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 90mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR93AE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFR93AE6327HTSA1-FT |
BFP405H6740XTSA1
Infineon Technologies
BFP410H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420H6433XTMA1
Infineon Technologies
BFP420H6740XTSA1
Infineon Technologies
BFP420H6801XTSA1
Infineon Technologies
BFP450H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP450H6433XTMA1
Infineon Technologies
BFP460H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP540ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP620H7764XTSA1
Infineon Technologies
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
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5SGSED8N2F45I2N
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5SGXEB6R3F43I4N
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LFXP10C-4F256C
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LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
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EP1C20F324I7N
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