casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFP540FESDE6327
codice articolo del costruttore | BFP540FESDE6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BFP540FESDE6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFP540FESDE6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Frequenza - Transizione | 30GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz |
Guadagno | 20dB |
Potenza - Max | 250mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 3.5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-TSFP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP540FESDE6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFP540FESDE6327-FT |
BFQ591,115
NXP USA Inc.
2SC3357-A
CEL
2SC3357-T1-A
CEL
2SC4536-AZ
CEL
2SC4536-T1-AZ
CEL
2SC4703-T1-AZ
CEL
2SC5336-AZ
CEL
2SC5336-T1-AZ
CEL
2SC5337-AZ
CEL
2SC5338-AZ
CEL
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel