casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BFN24E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BFN24E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BFN24E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFN24E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | 70MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFN24E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFN24E6327HTSA1-FT |
BC857AMTF
ON Semiconductor
BC857BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BC857BMTF
ON Semiconductor
BC857CB5003XT
Infineon Technologies
BC857CE6433HTMA1
Infineon Technologies
BC858AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC858AMTF
ON Semiconductor
BC858BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC858BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BC858BL3E6327
Infineon Technologies
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel