casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG310W/XR,115
codice articolo del costruttore | BFG310W/XR,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BFG310W/XR,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG310W/XR,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Frequenza - Transizione | 14GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1dB @ 2GHz |
Guadagno | 18dB |
Potenza - Max | 60mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-82A, SOT-343 |
Pacchetto dispositivo fornitore | CMPAK-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG310W/XR,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG310W/XR,115-FT |
MPSH10RLRPG
ON Semiconductor
MPSH10_D26Z
ON Semiconductor
MPSH10_D27Z
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MPSH10_D74Z
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MPSH10_D75Z
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MPSH11_D27Z
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MPSH17RLRAG
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MPSH17_D26Z
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MPSH17_D27Z
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MPSH17_D75Z
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XC2VP70-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA600-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3FTN256C
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XC7A15T-L1CPG236I
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LFXP2-8E-7QN208C
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LCMXO1200E-4BN256I
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EPF8636ALI84-4
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EP1C12F324C8N
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