codice articolo del costruttore | BDX53B |
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Numero di parte futuro | FT-BDX53B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDX53B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potenza - Max | 60W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDX53B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDX53B-FT |
2STR1160
STMicroelectronics
2STR1230
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BC817-40
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BC847B
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BC857B
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SO642
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SO692
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STN2580
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STN9360
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STN93003
STMicroelectronics
XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
10AX115N3F40I2LG
Intel