casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDW83B-S
codice articolo del costruttore | BDW83B-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDW83B-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDW83B-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 150mA, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 3.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-218-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW83B-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDW83B-S-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
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XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
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