codice articolo del costruttore | BDW23-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDW23-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDW23-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 60mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW23-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDW23-S-FT |
BCX52H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5310H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5316H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5316H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX53H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5416H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5516H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5516H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX55H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX56 BK
Central Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel