codice articolo del costruttore | BDV65B |
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Numero di parte futuro | FT-BDV65B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDV65B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Potenza - Max | 125W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-218-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDV65B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDV65B-FT |
2SC3902S
ON Semiconductor
2SC3902T
ON Semiconductor
2SD1683S
ON Semiconductor
2SD1683T
ON Semiconductor
2SD1685F
ON Semiconductor
2SD1685G
ON Semiconductor
AML2002
ON Semiconductor
MJ15024G
ON Semiconductor
MJ21194G
ON Semiconductor
MJ21193G
ON Semiconductor
EPF6024ATC144-2
Intel
AGLN250V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF10K30EFI256-2
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
Intel
5AGXFA5H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel