casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDV64B-S
codice articolo del costruttore | BDV64B-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDV64B-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDV64B-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 4V |
Potenza - Max | 3.5W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-218-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDV64B-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDV64B-S-FT |
TIP121
STMicroelectronics
BD241C
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D44H11
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LCMXO2-7000ZE-2TG144I
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A54SX72A-FGG256A
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M1A3P600-1FG256I
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
EP3CLS100U484I7N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
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