casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDT61A-S
codice articolo del costruttore | BDT61A-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDT61A-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDT61A-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDT61A-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDT61A-S-FT |
BCW60E6422HTMA1
Infineon Technologies
BCW61E6384HTMA1
Infineon Technologies
BCW68E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCX5116H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX51H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5216H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5216H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX52H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5310H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5316H6327XTSA1
Infineon Technologies
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel