casa / prodotti / resistenze / Resistori per montaggio su telaio / BDS4E100150R0J
codice articolo del costruttore | BDS4E100150R0J |
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Numero di parte futuro | FT-BDS4E100150R0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS4E100150R0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 150 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS4E100150R0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDS4E100150R0J-FT |
MOX-J-021003FE
Ohmite
MOX-J-021004FE
Ohmite
MOX-J-021005FE
Ohmite
MOX-J-021006FE
Ohmite
MOX-J-022506FE
Ohmite
TE1500B33RJ
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TE300B100RJ
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BDS2A40016RJ
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CJT10001K5JJ
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CJT10001R0JJ
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XC3S200-4FTG256I
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XC4025E-3HQ304C
Xilinx Inc.
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M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381I
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5SGXMB6R3F40I4N
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XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DCU324A7G
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EPF8452ALC84-4
Intel