casa / prodotti / resistenze / Resistori per montaggio su telaio / BDS2A1006K8K
codice articolo del costruttore | BDS2A1006K8K |
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Numero di parte futuro | FT-BDS2A1006K8K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A1006K8K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6.8 kOhms |
Tolleranza | ±10% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.488" L x 1.000" W (37.80mm x 25.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1006K8K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDS2A1006K8K-FT |
THS756R8J
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XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG256I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C7
Intel
EP3C5F256C6
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel