casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD435STU
codice articolo del costruttore | BD435STU |
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Numero di parte futuro | FT-BD435STU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD435STU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 36W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD435STU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD435STU-FT |
FJE5304DTU
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LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
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XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
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XC2VP20-5FFG896I
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