codice articolo del costruttore | BD239C |
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Numero di parte futuro | FT-BD239C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD239C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 200mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 300µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 4V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD239C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD239C-FT |
3STR1630
STMicroelectronics
2STR1215
STMicroelectronics
STR1550
STMicroelectronics
2STR1160
STMicroelectronics
2STR1230
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BC817-40
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BC847B
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BC857B
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SO642
STMicroelectronics
SO692
STMicroelectronics
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
M1A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
EP2A40F672C9
Intel
XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
Intel