codice articolo del costruttore | BD159 |
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Numero di parte futuro | FT-BD159 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD159 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-225AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD159 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD159-FT |
2SC24970R
Panasonic Electronic Components
2SC2497AQ
Panasonic Electronic Components
2SC25900Q
Panasonic Electronic Components
2SC2988
Panasonic Electronic Components
2SC3063
Panasonic Electronic Components
2SC3611
Panasonic Electronic Components
2SC4212H
Panasonic Electronic Components
2SC51210P
Panasonic Electronic Components
2SD0946AR
Panasonic Electronic Components
2SD0946B
Panasonic Electronic Components
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel