codice articolo del costruttore | BD159 |
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Numero di parte futuro | FT-BD159 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD159 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-225AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD159 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD159-FT |
2SC24970R
Panasonic Electronic Components
2SC2497AQ
Panasonic Electronic Components
2SC25900Q
Panasonic Electronic Components
2SC2988
Panasonic Electronic Components
2SC3063
Panasonic Electronic Components
2SC3611
Panasonic Electronic Components
2SC4212H
Panasonic Electronic Components
2SC51210P
Panasonic Electronic Components
2SD0946AR
Panasonic Electronic Components
2SD0946B
Panasonic Electronic Components
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC4VLX80-11FF1148I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6
Intel
EP1S40F780C8
Intel